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合法配资开户 速度是NAND的1000倍!三星:基本完成8nm eMRAM内存开发

发布日期:2024-07-05 02:19    点击次数:71

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快科技5月31日消息,三星电子在日前的“AI-PIM研讨会”上表示,其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成,正按计划逐步推进制程升级。

eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术,与传统的DRAM内存相比,它具有非易失性,不需要定期刷新数据,从而实现更高的能效。

此外,eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍,这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。

速度是NAND的1000倍!三星:基本完成8nm eMRAM内存开发

三星电子目前具备28nm eMRAM的生产能力,并已开始向智能手表等终端产品供货。

根据此前报道,三星电子曾计划在2024年量产14nm eMRAM,并在2026年实现8nm eMRAM的量产。

现在,随着8nm eMRAM开发的基本完成,公司正朝着2027年推出5nm eMRAM的目标稳步前进。

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同时三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心合法配资开户,并表示其产品耐温能力已达到150~160℃,完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。



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